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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
20
47
左右 -135% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.5
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.3
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
20
读取速度,GB/s
10.4
18.5
写入速度,GB/s
7.8
14.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
2965
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB RAM的比较
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
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Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
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