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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
47
左右 -31% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.4
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.2
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
36
读取速度,GB/s
10.4
16.4
写入速度,GB/s
7.8
16.2
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
3564
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
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Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB RAM的比较
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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
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