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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
差异
规格
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
47
左右 -81% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.3
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
26
读取速度,GB/s
10.4
15.5
写入速度,GB/s
7.8
11.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
2780
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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