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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
47
左右 -38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
34
读取速度,GB/s
10.4
16.0
写入速度,GB/s
7.8
13.5
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
3114
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
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Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
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