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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
47
89
左右 47% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.8
7.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.2
10.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
89
读取速度,GB/s
10.4
14.2
写入速度,GB/s
7.8
7.1
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
1571
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
PNY Electronics 8GBH2X04F1AA28-15 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Kingston FQ453-80003 1GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
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Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
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