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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
47
左右 -62% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.5
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
29
读取速度,GB/s
10.4
18.0
写入速度,GB/s
7.8
14.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
3638
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Corsair CMZ8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
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