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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
47
左右 -57% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.5
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
30
读取速度,GB/s
10.4
17.6
写入速度,GB/s
7.8
15.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
3564
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
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