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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
47
左右 -81% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.5
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.2
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
26
读取速度,GB/s
10.4
19.5
写入速度,GB/s
7.8
17.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
3840
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB RAM的比较
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
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