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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
14
47
左右 -236% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
26.4
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
19.8
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
14
读取速度,GB/s
10.4
26.4
写入速度,GB/s
7.8
19.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
4362
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
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