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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
47
左右 -81% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
23.1
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
19.0
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
26
读取速度,GB/s
10.4
23.1
写入速度,GB/s
7.8
19.0
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
4276
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB RAM的比较
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
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