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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Kingston 9905598-025.A00G 8GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.8
6.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
47
左右 -88% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.4
10.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
25
读取速度,GB/s
10.4
13.4
写入速度,GB/s
7.8
6.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
2045
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
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