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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Kingston 9905711-007.A00G 4GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
47
98
左右 52% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.8
6.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.7
10.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
98
读取速度,GB/s
10.4
14.7
写入速度,GB/s
7.8
6.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
1415
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
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