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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
73
左右 -128% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.9
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
5300
左右 4.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
32
读取速度,GB/s
3,510.5
15.7
写入速度,GB/s
1,423.3
14.9
内存带宽,mbps
5300
23400
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
3368
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
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Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
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Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
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