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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
47
左右 -34% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.4
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.9
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
35
读取速度,GB/s
10.4
14.4
写入速度,GB/s
7.8
9.9
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
2452
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
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