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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
47
左右 -88% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.8
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.8
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
25
读取速度,GB/s
10.4
16.8
写入速度,GB/s
7.8
12.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
2989
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
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Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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