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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
34
左右 26% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.1
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
34
读取速度,GB/s
16.1
17.1
写入速度,GB/s
10.1
13.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
3472
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
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