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Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
比较
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
总分
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
65
79
左右 -22% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.7
1,468.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
79
65
读取速度,GB/s
3,061.8
17.5
写入速度,GB/s
1,468.1
8.7
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
422
1921
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB RAM的比较
Micron Technology 8HTF12864HDY-800G1 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
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