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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
AMD R748G2400U2S 8GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs AMD R748G2400U2S 8GB

总分
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

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AMD R748G2400U2S 8GB

AMD R748G2400U2S 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB 需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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AMD R748G2400U2S 8GB 需要考虑的原因
AMD R748G2400U2S 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    23 left arrow 26
    左右 -13% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    16.4 left arrow 12.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    11.2 left arrow 9.0
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 10600
    左右 1.6 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
AMD R748G2400U2S 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    26 left arrow 23
  • 读取速度，GB/s
    12.8 left arrow 16.4
  • 写入速度，GB/s
    9.0 left arrow 11.2
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2143 left arrow 2686

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较

Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB

AMD R748G2400U2S 8GB RAM的比较

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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