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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
47
94
左右 50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
10.4
5.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.8
4.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
94
读取速度,GB/s
10.4
5.6
写入速度,GB/s
7.8
4.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
1334
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905428-129.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
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