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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
47
51
左右 8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
10.4
9.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.1
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
51
读取速度,GB/s
10.4
9.9
写入速度,GB/s
7.8
8.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
2314
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB RAM的比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
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