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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
47
左右 -38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.6
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.2
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
34
读取速度,GB/s
10.4
15.6
写入速度,GB/s
7.8
11.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
2468
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston X6TCK6-MIE 32GB
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Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
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