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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Comparar
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Razões a considerar
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
47
Por volta de -38% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
10.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.2
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
47
34
Velocidade de leitura, GB/s
10.4
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
11.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2169
2468
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Comparações de RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
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