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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
47
左右 -62% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.8
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
29
读取速度,GB/s
10.4
15.8
写入速度,GB/s
7.8
12.2
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
2988
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
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