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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
43
47
左右 -9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.4
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.5
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
43
读取速度,GB/s
10.4
11.4
写入速度,GB/s
7.8
9.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
2532
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
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