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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
47
左右 -31% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.7
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.0
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
36
读取速度,GB/s
10.4
14.7
写入速度,GB/s
7.8
10.0
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
2490
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
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