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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
47
左右 -42% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.5
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
33
读取速度,GB/s
10.4
18.5
写入速度,GB/s
7.8
13.8
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
3341
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
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