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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
38
47
左右 -24% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.7
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.2
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
38
读取速度,GB/s
10.4
13.7
写入速度,GB/s
7.8
10.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
2394
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
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