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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.8
7.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
47
左右 -96% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.2
10.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
24
读取速度,GB/s
10.4
14.2
写入速度,GB/s
7.8
7.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
2124
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT125S6TFR8C-H9 2GB
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Kingston 9965596-023.B01G 8GB
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
INTENSO 5641160 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
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