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Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
比较
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
总分
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
总分
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
55
左右 -129% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.4
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
55
24
读取速度,GB/s
9.4
19.0
写入速度,GB/s
7.8
14.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2424
3482
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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