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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
总分
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
33
左右 -50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.5
8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
22
读取速度,GB/s
8.0
18.5
写入速度,GB/s
7.3
13.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1911
3295
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
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