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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
总分
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
33
左右 -18% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.9
8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.5
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
28
读取速度,GB/s
8.0
17.9
写入速度,GB/s
7.3
14.5
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1911
3453
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
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Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
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