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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
46
左右 28% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.1
8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.1
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
46
读取速度,GB/s
8.0
16.1
写入速度,GB/s
7.3
15.1
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1911
2973
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
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