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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Kingston 9965662-016.A00G 16GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
总分
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
39
左右 15% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
8
7.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.8
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
39
读取速度,GB/s
8.0
7.9
写入速度,GB/s
7.3
7.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1911
1939
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
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G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
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