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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
总分
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
82
左右 60% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.3
6.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.1
8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
82
读取速度,GB/s
8.0
13.1
写入速度,GB/s
7.3
6.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1911
1354
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
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