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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
比较
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
总分
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,061.2
13.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
46
左右 -109% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
22
读取速度,GB/s
4,937.3
17.0
写入速度,GB/s
2,061.2
13.4
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
759
2942
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM的比较
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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
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