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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Kingston KTD3KX-MIB 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
总分
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.3
6.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
33
左右 -27% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13
8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
26
读取速度,GB/s
8.0
13.0
写入速度,GB/s
7.3
6.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1911
1931
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
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