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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.1
6.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
54
左右 -100% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.5
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
27
读取速度,GB/s
9.2
13.5
写入速度,GB/s
8.1
6.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
2172
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston XW21KG-MIE2 8GB
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Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
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