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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
54
左右 -108% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.4
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.0
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
26
读取速度,GB/s
9.2
14.4
写入速度,GB/s
8.1
11.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
3078
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
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Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB RAM的比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
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