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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
54
左右 -100% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.2
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.9
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
27
读取速度,GB/s
9.2
12.2
写入速度,GB/s
8.1
15.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
3199
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
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