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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
54
左右 -80% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
30
读取速度,GB/s
9.2
16.7
写入速度,GB/s
8.1
12.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
3090
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
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Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
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