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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
38
54
左右 -42% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.2
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
38
读取速度,GB/s
9.2
14.0
写入速度,GB/s
8.1
10.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
2407
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
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