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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
54
左右 -80% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.5
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.9
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
30
读取速度,GB/s
9.2
17.5
写入速度,GB/s
8.1
13.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
3537
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
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