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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
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规格
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Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
54
左右 -80% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.5
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
30
读取速度,GB/s
9.2
19.0
写入速度,GB/s
8.1
14.5
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
3671
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
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Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
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