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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
54
左右 -86% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.5
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
29
读取速度,GB/s
9.2
16.5
写入速度,GB/s
8.1
13.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
2983
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
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Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Kingston K000MD44U 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
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