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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
54
左右 -108% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.1
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.1
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
26
读取速度,GB/s
9.2
14.1
写入速度,GB/s
8.1
11.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
2646
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
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Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
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Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
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