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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
54
左右 -74% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.4
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.8
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
31
读取速度,GB/s
9.2
16.4
写入速度,GB/s
8.1
12.8
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
2928
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
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Kingston 9905713-008.A00G 4GB
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Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
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