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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
54
左右 -64% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.2
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.6
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
33
读取速度,GB/s
9.2
16.2
写入速度,GB/s
8.1
12.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
2941
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
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Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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