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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
37
54
左右 -46% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.3
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.2
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
37
读取速度,GB/s
9.2
16.3
写入速度,GB/s
8.1
10.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
2658
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
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