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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
54
左右 -74% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
31
读取速度,GB/s
9.2
16.9
写入速度,GB/s
8.1
13.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
3300
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
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A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
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Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
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