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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
54
左右 -145% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.5
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
22
读取速度,GB/s
9.2
17.5
写入速度,GB/s
8.1
13.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
3169
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
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Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
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